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CMOS工艺
  • [有源RFID产品与系统] [其他] AT89C51与nRF401芯片在RFID系统中的应用
    AT89C51是一种低功耗高性能的8位单片机，片内带有一个4k字节的Flash可编擦除只 读存储器(PEROM)，它采用了CMOS工艺和ATMEL公司的高密度非易失性存储器(NURAM)技术，而且其输出引脚和指令系统和MCU_51系列 单片机兼容。片内的Flash存储器允许在系统内可改编程序或用常规的非易失性的存储器编程器来编程。同时已具有三级程序存储器保密的性能。
  • [RFID标签] [其他] 基于商用CMOS工艺的RFID标签电路设计
    工作在125或134kHz低频(LF)或者13.56MHz高频(HF)范围内的电感回路无源RFID系统，其工作距离仅限于大约1m的范围。UHF RFID系统工作在860至960MHz以及2.4GHZ的工业科学医疗(ISM)频段。其具有更长的工作距离，对无源标签而言典型工作范围为3至10m。标签从阅读器的射频信号接收信息和工作能量。如果标签在阅读器的范围内，就会在标签的天线上感应出交变的射频电压。该电压经过整流后为标签提供直流(DC)电源电压。通过调制天线端口的阻抗来实现标签对阅读器的响应。这样一来，标签将信号反向散射给阅读器。
  • [RFID标签] [其他] UHF RFID标签电路设计
    本文提出了基于商用0.18μm CMOS工艺的EPC Global Class-1 Generation-2 UHF RFID标签电路设计。
  • [RFID行业集成软件] [其他] 用于UHF RFID的功率放大器设计
    功率放大器是UHF RFID系统的重要模块，也是RFID系统中功耗最大的器件。本文采用TSMC0.18rf CMOS工艺，设计了一款用于RFID的线性功率放大器。在915 MHz频段，最大输出功率为17.8 dBm，饱和效率达到了40%，输出1 dB压缩点（P1dB）为15.4 dBm，其小信号增益达到了28.7 dB。
  • [行业配套材料] [其他] UHF RFID模拟基带中的信道选择滤波器设计
    随着CMOS工艺技术的发展进步， 如果能够提供基于CMOS工艺的单片阅读器将极大的降低成本， 应用前景也将更为广阔; 而且单片集成的阅读器方案也符合当前多应用便携式终端的发展趋势， 为未来多应用整合提供可能。
  • [RFID标签] [其他] 一种应用于射频卡的集成稳压电路的设计
    本文讨论一种采用0.35um CMOS工艺专为射频卡设计的自反馈开关式稳压电路。
  • [RFID标签] [制造] 超高频RFID标签的数字电路设计
    在研究读写器和射频标签通信过程的基础上，结合EPC C1G2协议以及ISO／IEC18000．6协议， 采用VHDL语言设计出一种应用于超高频段的射频标签数字电路。对电路的系统结构和模块具体实现方法进行了描述。基于0．18μm CMOS工艺标准单元库，采用EDA工具对电路进行了前端综合和后端物理实现。给出的仿真结果表明该电路符合协议要求，综合后的电路规模约为11000门，功耗约为35μW 。该电路可应用于超高频段的各种RFID标签的数字部分。
  • [RFID标签] [制造] 超宽带窄脉冲发射芯片及应用系统电路实现
    本文给出了一个基于自主知识产权芯片实现的超宽带窄脉冲发射电路及测试结果，通过超低功耗单片机MSP430F123控制超宽带脉冲发射机芯片，可实现高速率数据的无线发射，所采用的超宽带发射机芯片基于0.18mm CMOS工艺设计和实现，能够以0~800Mpps的脉冲重复频率产生宽度约为500ps的超宽带窄脉冲信号，经过脉冲整形电路后，信号的频谱在500MHz~1.5GHz之间，发射功率谱密度低于-41.3dBm/MHz。
  • [RFID标签] [制造] 一种低功耗高动态范围的915MHz无源射频标签
    设计了一种适用于NCITS一256—1999协议的915MHz无源射频只读标签．芯片具有低功耗、高动态范围的特点．1．6V 电源电压下模拟前端的静态工作电流为1．6 μA，芯片正常工作所需要的最小射频信号输入功率为45μw．芯片在0．18μm CMOS工艺下流片验证，测试结果表明，芯片能够很好地满足设计要求．